Zespół z Instytutu Fizyki Doświadczalnej Uniwersytetu Gdańskiego, przy współpracy z Instytutem Nanotechnologii i Inżynierii Materiałowej Politechniki Gdańskiej, na łamach periodyku „Dalton Transactions” opisał nową metodę określania położenia poziomów czynnych jonów lantanowców (Ln) względem pasm przewodnictwa.

Pod tym dosyć hermetycznym opisem kryje się technologia, którą można wykorzystać w różnorodnych materiałach aktywnych optycznie.

Chodzi przede wszystkim o luminescencję.

„Materiały luminescencyjne zawierające optycznie czynne jony lantanowców (Ln) są intensywnie badane pod kątem zastosowań optoelektronicznych. Aby zrozumieć efekty odpowiedzialne za transfer energii wzbudzenia między matrycą a aktywatorami oraz za inne procesy określające właściwości optyczne ww. materiałów, należy brać pod uwagę położenie stanów energetycznych Ln względem pasm przewodnictwa oraz walencyjnego matrycy” – wyjaśniają autorzy publikacji.

„W przedstawionej pracy proponujemy zastosowanie nowej metody określania położenia ww. poziomów Ln względem pasm, polegającej na synergicznym zastosowaniu widm wzbudzenia fotoprzewodnictwa oraz fotoluminescencji. Uważamy, że metoda ta będzie przydatna w przypadku szerokiej klasy materiałów optycznie aktywnych” – podkreślają badacze.

Osiągnięcie gdańskich ekspertów na tyle zainteresowało redaktorów czasopisma, że praca pt. „Lanthanide ions (Eu3+, Er3+, Pr3+) as luminescence and charge carrier centers in Sr2TiO4” trafiła na okładkę.

Więcej informacji o badaniach w publikacji źródłowej. (PAP)

mat/ bar/