<p>Nowy układ pamięci, który działa w sposób przypominający dysk twardy, ma wkrótce trafić na rynek.</p>
Firma Freescale, niegdyś część firmy Motorola, opracowała pamięć magnetorezystywną MRAM (ang. Magnetoresistive Random Access Memory). Wykorzystuje ona do zapisu informacji właściwości magnetyczne, a nie ładunek elektryczny. Miękki materiał magnetyczny jest przemagnesowywany przez płynący prąd, co wpływa na oporność złącza.
W porównaniu z powszechnie stosowanymi pamięciami flash (w telefonach, odtwarzaczach mp3, pendrivach, aparatach fotograficznych) dużą zaletą MRAM jest praktycznie nieograniczony czas przechowywania informacji bez potrzeby zasilania (pamięć flash wytrzymuje tylko kilka lat), nieograniczona liczba cykli zapisu i odczytu oraz znacznie większa szybkość działania.
Niestety, jak na razie MRAM jest droga i niezbyt pojemna, a także niezgodna z dostępnymi na rynku urządzeniami do zapisu i odczytu.
Na razie na rynek mają trafić pamięci o pojemności 4 megabajtów, podczas gdy dostępne są już karty pamięci flash o pojemności tysiące razy większej.PMW
PAP - Nauka w Polsce
krx
Fundacja PAP zezwala na bezpłatny przedruk artykułów z Serwisu Nauka w Polsce pod warunkiem mailowego poinformowania nas raz w miesiącu o fakcie korzystania z serwisu oraz podania źródła artykułu. W portalach i serwisach internetowych prosimy o zamieszczenie podlinkowanego adresu: Źródło: naukawpolsce.pl, a w czasopismach adnotacji: Źródło: Serwis Nauka w Polsce - naukawpolsce.pl. Powyższe zezwolenie nie dotyczy: informacji z kategorii "Świat" oraz wszelkich fotografii i materiałów wideo.
