Pamięć zmiennofazowa (PCM - Phase Change Memory) - technologia, która została zastosowana w nowym dysku twardym jest oparta na nośniku krystalicznym. W tej technologii zapis jest możliwy dzięki zmianie fazy w punktach nośnika z krystalicznej na amorficzną i z powrotem na krystaliczną, poprzez podgrzewanie impulsami elektrycznymi. Odczyt odbywa się poprzez pomiar rezystancji nośnika, który jest różny dla różnych faz. Nośnikiem jest najczęściej stop tellurku antymonu i galu.

Uczeni z University of California w San Diego postanowili stworzyć wydajny dysk twardy oparty na tej technologii. Jej zaletą jest, że tego typu dysk nie ma żadnych części mechanicznych i może być pojemniejszy niż dotąd stosowane dyski magnetyczne czy flash, instalowane w serwerach.

Przedstawiony przez naukowców z University of California dysk Onyx ma pojemność 8 gigabajtów i jest o 70-120 proc. szybszy niż montowane w serwerach dyski typu flash. Operacje na nim pochłaniają także mniejszą ilość mocy procesora niż dyski magnetyczne czy flash. Jego słabą stroną jest czytanie wielkich bloków danych - dla tego parametru osiąga czas porównywalny z dzisiaj stosowanymi, słabszymi modelami dysków.

W Onyx zastosowano nowe moduły pamięci zmiennofazowej opracowane przez badaczy z firmy Micron. Nośnikiem w nich jest stop tellurku antymonu i galu w specjalnie wytworzonym szkle. Obecnie naukowcy z San Diego chcą się skupić na poprawie parametrów dysku w zakresie odczytywania dużych bloków danych. Według badaczy, dyski zmiennofazowe pojawią się jako samodzielne konstrukcje za kilka lat - wcześniej prawdopodobnie pojawią się dyski hybrydowe, łączące w sobie dyski flash i pamięci zmiennofazowe lub dyski o konstrukcji zarówno flash jak i zmiennofazowej. Dyski takie będą szybsze i stabilniejsze niż dotąd używane przynajmniej o 50-70 proc. MMEJ

PAP - Nauka w Polsce

 krf/bsz